[发明专利]一种蓝宝石基片表面有序粗化方法及蓝宝石基片、LED制备方法和LED无效

专利信息
申请号: 201110250041.2 申请日: 2011-08-29
公开(公告)号: CN102280541A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 蓝鼎;王育人 申请(专利权)人: 中国科学院力学研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/22;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种蓝宝石基片表面有序粗化方法,包括如下步骤:步骤1、将聚苯乙烯纳米球均匀分布在蓝宝石基片表面;步骤2、将蓝宝石基片置于Cl-BCl混合气氛中,用ICP刻蚀机进行刻蚀;步骤3、去除掉聚苯乙烯纳米球,从而得到表面均匀分布有小突起的图案化蓝宝石基片。本发明还公开了一种蓝宝石基片、LED的制备方法和LED。本发明通过在蓝宝石的基片上形成具有一定直径大小的聚苯乙烯纳米球,该纳米球有序、均匀分布在基片的表面,再通过刻蚀,从而在基片的表面形成纳米级的图案化的有序小突起,该小突起的直径、间距和高度分别为可以做到550nm、60nm和150nm,因此,通过本发明形成的突起单位面积数量更多,更能促使光的散射,从而获得性能更加优良的LED。
搜索关键词: 一种 蓝宝石 表面 有序 方法 led 制备
【主权项】:
一种蓝宝石基片表面有序粗化方法,包括如下步骤:步骤1、将聚苯乙烯纳米球均匀分布在蓝宝石基片表面;步骤2、将蓝宝石基片置于Cl‑BCl混合气氛中,用ICP刻蚀机进行刻蚀;步骤3、去除掉聚苯乙烯纳米球,从而得到表面均匀分布有小突起的图案化蓝宝石基片。
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