[发明专利]一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件

摘要

本发明公开了一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，包括：Si、SiC、Sapphire或GaN衬底；衬底上依次为：AlN成核层、GaN沟道层、InXAlN势垒层、InXGaN或InXAlGaN刻蚀终止层、InXAlN帽层；源、漏电极；凹槽金属栅电极或绝缘栅电极。还包括在成核层与沟道层之间的缓冲层和背势垒层，缓冲层在背势垒层下面，缓冲层的材料为GaN，背势垒层的材料为AlXGaN，0

主权项

一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括：衬底（1），在所述衬底（1）上的成核层（2），在所述成核层（2）上的沟道层（5），在所述沟道层（5）上的势垒层（7），在所述势垒层（7）上的刻蚀终止层（8），在所述刻蚀终止层上的帽层（9），与刻蚀终止层（8）或帽层（9）接触的源电极（12）和漏电极（13），与刻蚀终止层（8）接触的凹槽金属栅电极（11）或绝缘栅电极（11）；所述衬底材料为Si或SiC或Sapphire或GaN，所述成核层的材料为AlN，所述沟道层的材料为GaN，所述势垒层的材料为InXAlN，所述刻蚀终止层的材料为InXGaN或InXAlGaN，所述帽层的材料为InXAlN，0

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