[发明专利]一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110250241.8 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446727A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法，提供一硅基板，所述硅基板上覆盖有栅氧层，在所述栅氧层上淀积多晶硅，其特征在于，接着执行如下步骤：形成第一二氧化硅位于所述多晶硅上；在所述第一二氧化硅上形成刻蚀硬掩膜层，所述刻蚀硬掩膜层通过依次淀积一层氮化硅和一层第二二氧化硅形成，所述氮化硅覆盖所述第一二氧化硅，所述第二二氧化硅覆盖所述氮化硅；旋涂一层光刻胶覆盖所述刻蚀硬掩膜层，然后将所述光刻胶曝光；干法刻蚀所述刻蚀硬掩膜层和第一二氧化硅，再去除所述光刻胶；干法刻蚀所述多晶硅；去除残留的氮化硅和第一二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 氮化 刻蚀 硬掩膜层 方法 | ||
【主权项】：
一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法，提供一硅基板，所述硅基板上覆盖有栅氧层，在所述栅氧层上淀积多晶硅，其特征在于，接着执行如下步骤：形成第一二氧化硅位于所述多晶硅上；在所述第一二氧化硅上形成刻蚀硬掩膜层，所述刻蚀硬掩膜层通过依次淀积一层氮化硅和一层第二二氧化硅形成，所述氮化硅覆盖所述第一二氧化硅，所述第二二氧化硅覆盖所述氮化硅；旋涂一层光刻胶覆盖所述刻蚀硬掩膜层，然后将所述光刻胶曝光；干法刻蚀所述刻蚀硬掩膜层和第一二氧化硅，再去除所述光刻胶；干法刻蚀所述多晶硅；去除残留的氮化硅和第一二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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