[发明专利]一种无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺

摘要

本发明公开了一种无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺，其通过在位于有源区之间的沟槽中插入平衡密度控制图形，而后再在其上淀积一层绝缘薄膜，在简化传统的浅沟槽隔离工艺的同时，可以避免有源区在化学机械抛光过程中出现过磨削现象，进而实现了无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺，工艺过程简单易控制。

主权项

一种无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：提供一硅衬底，所述硅衬底上淀积一层钝化保护层；步骤S2：刻蚀所述钝化保护层和所述硅衬底，形成位于所述钝化保护层中的通孔和位于所述硅衬底中的沟槽；步骤S3：在所述硅衬底的沟槽中插入高度与沟槽的高度相同的平衡密度辅助图形，使得平衡密度辅助图形的上表面与钝化保护层的上表面保持在同一水平线上； 步骤S4：在所述钝化保护层以及所述硅衬底中的沟槽内淀积一层绝缘薄膜；步骤S5：形成位于浅沟槽内的浅沟槽隔离结构，以及位于所述浅沟槽隔离结构两侧的有源区；其中， S＜X＜√2a， S为本技术节点有源区允许的最小间距，X为平衡密度辅助图形与有源区之间的距离，a为所淀积的绝缘薄膜的厚度。