[发明专利]一种CMP机台内置清洗结构及方法有效

专利信息
申请号: 201110250265.3 申请日: 2011-08-29
公开(公告)号: CN102441843A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 白英英;张明华;张守龙;陈玉文 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: B24B37/34 分类号: B24B37/34;B24B55/00;H01L21/67;H01L21/02;B08B3/12;B08B3/02
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种CMP机台内置清洗结构及方法。本发明公开了一种CMP机台内置清洗结构及方法,在保证清洗效果的前提下,通过采用不接触晶圆方式对晶片表面进行无直接接触清洗,且同时增加超声波清洗室晶圆清洗位置及干燥室,使得整个清洗系统可以同时清洗两片晶圆,不仅避免对晶圆造成损伤,还不会带来二次污染,且提高了清洗速度,避免了由于清洗速度的原因而对CMP工艺产出率的降低。
搜索关键词: 一种 cmp 机台 内置 清洗 结构 方法
【主权项】:
一种CMP机台内置清洗结构,其特征在于,包括:设置在CMP机台内的超声波清洗装置、喷雾清洗装置和干燥装置,超声波清洗装置通过喷雾清洗装置与干燥装置连接;其中,喷雾清洗装置包含有设置在喷雾清洗室两侧且部分设置在其内的清洗剂喷雾装置,两可旋转固定装置分别对应两清洗剂喷雾装置位置设置在喷雾清洗室内,一部分设置在喷雾清洗室内的惰性气体喷气装置设置在两可旋转固定装置之间。
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