[发明专利]一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110250270.4 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446970A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件及其制备方法，本发明通过在栅极的外围覆盖一层扩散阻挡层，从而有效加强对于栅极外侧的各层侧壁的保护，从而防止各侧壁在槽清洗的成型工艺中，靠近栅极源漏极端形成酸槽清洗空洞，从而栅极上方的金属硅化物层中的离子由空洞渗透进入栅极的浅沟道中，造成栅极的源漏区的导通和器件的失效等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 清洗 空洞 形成 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件，其特征在于，包括栅极和金属硅化物层；其中，所述栅极外侧由里至外依次覆盖有多层侧壁，而所述金属硅化物层覆盖于所述多层侧壁和所述栅极的上方；所述多层侧壁中最外层侧壁为氮硅化合物制成的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层下端与栅极的源极或是漏极相连接，用于防止侧壁成型工艺过程中侧壁损失所导致的在侧壁的下方靠近源极或漏极侧所形成的空洞，进而防止空洞使得金属硅化物层中的金属离子有空洞扩散渗透至栅极的浅沟道中所导致的源极与漏极导通。
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