[发明专利]一种降低接触孔的接触电阻的制造方法无效
| 申请号： | 201110250273.8 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437096A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张亮;傅昶;胡友存;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低接触孔的接触电阻的制造方法，其中，首先，采用双大马士革工艺，经过曝光刻蚀之后，获得中空的接触孔以及金属层沟槽的结构；接着，进行钨栓的制造工艺，部分填充形成接触孔以及沟槽结构；随后，在所形成的金属钨上进行铜的阻挡层，籽晶层生长；然后，利用电镀将铜填满接触孔以及沟槽的结构，并且形成一定的冗余铜；最后，利用化学机械研磨，去除多余的铜材料，并且使得表面形貌平坦化。使用本发明一种降低接触孔的接触电阻的制造方法，通过采用低电阻金属材料铜来代替接触孔中部分的钨栓，以降低接触孔的接触电阻，同时，有效地提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 接触 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种降低接触孔的接触电阻的制造方法，其特征在于，首先，采用双大马士革工艺，经过曝光刻蚀之后，获得中空的接触孔以及金属层沟槽的结构；接着，进行钨栓的制造工艺，部分填充形成接触孔以及沟槽结构；随后，在所形成的金属钨上进行铜的阻挡层，籽晶层生长；然后，利用电镀将铜填满接触孔以及沟槽的结构，并且形成一定的冗余铜；最后，利用化学机械研磨，去除多余的铜材料，并且使得表面形貌平坦化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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