[发明专利]一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法无效
| 申请号： | 201110250280.8 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456565A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，在半导体器件的栅极及源极、漏极上沉积一层薄氧化物层，其中，包括以下步骤：在第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积一层氮化硅薄膜层；在反应腔室内通入含氧气体进行处理，在高温环境下，所述含氧气体在所述氮化硅薄膜层的表面发生反应，去除氮化硅薄膜层表面游离的氮元素。在所述氮化硅薄膜层表面覆盖一层光刻胶，进行刻蚀。本发明利用含氧气体去除氮化硅薄膜中游离的氮元素，从而避免因此而造成的对后续光刻工艺中光阻失效现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预防 应力 氮化 工艺 中光阻 失效 方法 | ||
【主权项】：
一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，在半导体器件的栅极及源极沉积一层薄氧化物层，其特征在于，包括以下步骤：在所述第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积一层氮化硅薄膜层；在反应腔室内通入含氧气体进行处理，在高温环境下，所述含氧气体在所述氮化硅薄膜层的表面发生反应，去除所述氮化硅薄膜层表面游离的氮元素；在所述氮化硅薄膜层表面覆盖一层光刻胶，进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
