[发明专利]一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法无效
| 申请号： | 201110251595.4 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102435627A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 上海华碧检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法，包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶8的比例进行超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入配置好的结染色液中10秒钟后取出；C、使用扫描电子显微镜进行截面观察经过染色的超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜的扫描照片，并测量相关掺杂结构的结深。本发明通过该种针对超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的PN结进行染色分析，以后再进行该同种超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构结深确认只需使用得出的最佳经验值来获取即可，既快速又经济。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 mosfet 器件 掺杂 结构 染色 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种超结高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色分析方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶8的比例进行超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构的染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入配置好的结染色液中10秒钟后取出；C、使用扫描电子显微镜进行截面观察经过染色的超结的高压功率MOSFET器件掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜的扫描照片，并测量相关掺杂结构的结深。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华碧检测技术有限公司，未经上海华碧检测技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110251595.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种富马酸二甲酯的连续生产工艺
- 下一篇：层叠电感器
