[发明专利]光分路器单晶硅回刻的干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110251889.7 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102955200A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/138 | 分类号： | G02B6/138 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光分路器单晶硅回刻的干法刻蚀方法，包括步骤：1)用干法刻蚀方法，通过硬掩膜刻蚀出深沟槽；2)用湿法刻蚀方法，缩小硬掩膜的宽度；3)采用各向异性刻蚀条件，进行单晶硅回刻；4)进行聚合物各向同性刻蚀，去除侧壁的聚合物；5)重复步骤3)至4)。该方法通过循环刻蚀方法，降低了单晶硅回刻过程中形成的单晶硅围墙的高度，从而可以提高光分路器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分路 单晶硅 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种光分路器单晶硅回刻的干法刻蚀方法，包括步骤：1)采用干法刻蚀方法，通过硬掩膜刻蚀出深沟槽；2)采用湿法刻蚀方法，缩小硬掩膜的宽度；其特征在于，还包括以下步骤：3)采用各向异性刻蚀条件，进行单晶硅回刻；4)采用各向同性刻蚀条件，进行侧壁聚合物的刻蚀；5)重复步骤3)至4)。
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