[发明专利]垂直式二极管元件及二极管阵列

摘要

本发明公开了一种垂直式二极管元件及二极管阵列。埋入式金属线配置于具有第一导电型的基底中。绝缘层配置于基底与埋入式金属线之间，且曝露埋入式金属线的侧壁的一部分。接点配置于基底中，且位于埋入式金属线的经绝缘层曝露的侧壁的部分上。具有第二导电型的第一掺杂区配置于基底中且位于埋入式金属线的一侧。第一掺杂区与接点接触，且接点的阻值低于第一掺杂区的阻值。具有第一导电型的第二掺杂区配置于第一掺杂区中。第二掺杂区未与接点接触。本发明提供的垂直式二极管元件及二极管阵列，可减小基极串联电阻，其一方面可达成小的存储器元件尺寸，另一方面可保有大的存储器阵列。

主权项

一种垂直式二极管元件，其特征在于，包括：一具有一第一导电型的一基底；一埋入式金属线，配置于该基底中；一绝缘层，配置于该基底与该埋入式金属线之间，且曝露该埋入式金属线的一侧壁的一部分；一接点，配置于该基底中，且位于该埋入式金属线的经该绝缘层曝露的该侧壁的该部分上；具有一第二导电型的一第一掺杂区，配置于该基底中且位于该埋入式金属线的一侧，其中该第一掺杂区与该接点接触，且该接点的阻值低于该第一掺杂区的阻值；以及具有该第一导电型的一第二掺杂区，配置于该第一掺杂区中，其中该第二掺杂区未与该接点接触。