[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件

摘要

用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。

主权项

一种用于形成场效应功率半导体器件的方法，包括：提供半导体本体，该半导体本体包括主水平表面和与主表面相邻布置的导电区域；在主水平表面上形成绝缘层；穿透绝缘层蚀刻窄沟槽，使得导电区域的一部分露出，该窄沟槽在给定垂直剖面图中包括最大水平延伸；以及形成包括水平延伸的pn结的垂直多晶二极管结构，其中形成该垂直多晶二极管结构包括：沉积包括最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度的多晶半导体层；以及无掩膜回蚀多晶半导体层以在窄沟槽中形成多晶区域。