[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110252431.3 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102468327A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够缓和电场、将栅极电容抑制得较小的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：第一导电型的半导体基板（1）；第一导电型的外延层（23），形成在半导体基板（1）上并在表面具有凸部；第二导电型的阱区域（3），夹着凸部形成在外延层（23）表面；第一导电型的源极区域（4），在阱区域（3）表面选择性地形成；栅极绝缘膜（6），至少覆盖凸部及阱区域（3）表面而形成；栅极电极（7），形成在与凸部对应的栅极绝缘膜（6）上，其中栅极绝缘膜（6）的与凸部上表面对应的区域的厚度比其他区域的厚度厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的半导体基板；第一导电型的外延层，形成在所述半导体基板上，并且在表面具有凸部；第二导电型的阱区域，夹着所述凸部形成在所述外延层表面；第一导电型的源极区域，在所述阱区域表面选择性地形成；栅极绝缘膜，至少覆盖所述凸部以及所述阱区域表面而形成；以及栅极电极，形成在与所述凸部对应的所述栅极绝缘膜上，所述栅极绝缘膜的与所述凸部上表面对应的区域的厚度比其他区域的厚度厚。
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