[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110252731.1 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102956497A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，图形化衬底形成第一开口；在第一开口的侧壁上形成阻挡侧墙，阻挡侧墙和第一开口的底部围成第二开口；在第二开口中形成半导体层；在半导体层上形成应力层，半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；在应力层上形成栅极结构，在阻挡侧墙背向第一开口的一侧的衬底中形成掺杂区。晶体管包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于栅极结构下方的衬底中的第一阻挡侧墙、第二阻挡侧墙，位于第一阻挡侧墙和第二阻挡侧墙之间的半导体层；位于半导体层上的应力层，半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；位于第一阻挡侧墙、第二阻挡侧墙之外的衬底中的掺杂区。本发明提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，图形化所述衬底形成位于衬底中的第一开口；在所述第一开口的侧壁上形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙和第一开口的底部围成第二开口；在所述第二开口中形成半导体层；在半导体层上形成应力层，所述半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；在应力层上形成栅极结构，在阻挡侧墙背向第一开口的一侧的衬底中形成掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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