[发明专利]有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件

摘要

本发明公开了一种有赝埋层的锗硅HBT器件，集电区由形成于浅槽之间的第一N型离子注入区、形成于第一离子注入区中的第二N型离子注入区组成；N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽底部，赝埋层与浅槽接触处形成有金属硅化物；本征基区由锗硅外延层组成，外基区包括形成于浅槽上部且和本征基区接触的外基区多晶硅、位于外基区多晶硅上部且与其接触的金属硅化物；发射区由形成于本征基区上部与本征基区形成接触的N型发射极多晶硅组成。本发明还公开了一种器件的制造方法。本发明降低了基区及基区-集电区结形成的耗尽区的渡越时间，提高了器件工作截止频率；深接触孔金属硅化物避免了硅氧化物的生成，降低了电路断路的风险，提高器件的可靠性。

主权项

一种有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，在P型硅衬底上形成浅槽；第2步，在浅槽底部注入N型离子形成N型赝埋层；第3步，在有源区进行N型离子注入形成集电区；第4步，外延生长锗硅外延层；第5步，淀积介质膜层，刻蚀形成发射区窗口，其上淀积发射极多晶硅；第6步，对发射极多晶硅进行N型离子注入，刻蚀形成发射极，并对锗硅外基区多晶硅进行P型离子注入；第7步，对注入杂质进行退火激活；第8步，淀积氧化膜进行反向刻蚀，生成发射极多晶硅侧墙和基极多晶硅侧墙；第9步，进行深接触孔光刻、干法刻蚀及湿法刻蚀，打开需要生长金属硅化物的区域；第10步，在浅槽底部深接触孔打开的区域以及锗硅外基区多晶硅上生成金属硅化物，依次淀积氧化硅介质，形成接触孔、深接触孔和金属连线。