[发明专利]直接接触的沟槽结构有效
| 申请号： | 201110254322.5 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386124A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | B.埃拉塔里;F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/763 | 分类号： | H01L21/763;H01L27/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 直接接触的沟槽结构。半导体结构包括第一导电性的半导体基板、基板上的第二导电性的外延层以及夹置在基板和外延层之间的第二导电性的埋层。第一沟槽结构穿过外延层和埋层延伸到基板且包括侧壁绝缘和在第一沟槽结构的底部与基板电学接触的导电材料。第二沟槽结构穿过外延层延伸到埋层且包括侧壁绝缘和在第二沟槽结构的底部与埋层电学接触的导电材料。绝缘材料的区域横向地从第一沟槽结构的导电材料延伸到第二沟槽结构的导电材料且纵向地延伸到基本第二沟槽结构的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 接触 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一导电性的半导体基板；基板上的第二导电性的外延层；夹置在基板和外延层之间的第二导电性的埋层；穿过外延层和埋层延伸到基板的第一沟槽结构，该第一沟槽结构包括侧壁绝缘和在第一沟槽结构的底部与基板电学接触的导电材料；穿过外延层延伸到埋层的第二沟槽结构，该第二沟槽结构包括侧壁绝缘和在第二沟槽结构的底部与埋层电学接触的导电材料；绝缘材料区域，其横向地从第一沟槽结构的导电材料延伸到第二沟槽结构的导电材料且纵向地延伸到基本上第二沟槽结构的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
