[发明专利]SONOS结构、SONOS存储器无效
| 申请号： | 201110254595.X | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102290444A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SONOS结构、SONOS存储器，所述SONOS结构包括：衬底，所述衬底包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底位于所述第二衬底上，所述第一衬底定义出ONO结构的区域，且所述第一衬底的表面为凸面；依次位于所述第一衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层，所述隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层的上表面、下表面均为凸面；源极和漏极，位于所述第二衬底内，且分别位于所述第一衬底的两侧。可以解决现有技术中SONOS存储器擦除饱和的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 结构 存储器 | ||
【主权项】：
一种SONOS结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底位于所述第二衬底上，所述第一衬底定义出ONO结构的区域，且所述第一衬底的表面为凸面；依次位于所述第一衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层，所述隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层的上表面、下表面均为凸面；源极和漏极，位于所述第二衬底内，且分别位于所述第一衬底的两侧。
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