[发明专利]一种采用非晶合金磁环结构的巨磁电阻效应电流传感器无效
申请号: | 201110255549.1 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102323467A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 胡军;欧阳勇;何金良;嵇士杰;曾嵘;张波 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R19/04 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种采用非晶合金磁环结构的巨磁电阻效应电流传感器,属于电力系统量测技术领域。该电流传感器中,被测导线穿过非晶合金磁环,直流偏磁线圈绕在非晶合金磁环上,直流恒流源为直流偏磁线圈供电。多层膜巨磁电阻效应芯片置于非晶合金磁环的气隙中。芯片的正输出端和负输出端分别与仪表放大器的同相输入端和反相输入端连接,仪表放大器的输出端与运算放大器的同相输入端连接。电压跟随电阻并联在运算放大器的反相输入端和输出端,运算放大器的输出端与所述的模数转换器的输入端连接,输出端与数码管显示器连接。本发明的电流传感器,具有体积小、成本低、耗能低、频率响应宽、灵敏度高和稳定特性好等优点,符合新型智能电网下绿色节能和大规模分布式监测的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 合金 结构 磁电 效应 电流传感器 | ||
【主权项】:
一种采用非晶合金磁环结构的巨磁电阻效应电流传感器,其特征在于该巨磁电阻效应电流传感器包括非晶合金磁环、直流恒流源、直流偏磁线圈、多层膜巨磁电阻效应芯片、仪表放大器、运算放大器、电压跟随电阻、模数转换器和数码管显示器;被测导线穿过非晶合金磁环;所述的直流偏磁线圈绕在非晶合金磁环上,直流恒流源为直流偏磁线圈供电;所述的非晶合金磁环有一个气隙,所述的多层膜巨磁电阻效应芯片置于非晶合金磁环的气隙中;所述的多层膜巨磁电阻效应芯片的正输出端和负输出端分别与所述的仪表放大器的同相输入端和反相输入端连接,仪表放大器的输出端与所述的运算放大器的同相输入端连接;所述的电压跟随电阻并联在运算放大器的反相输入端和输出端,运算放大器的输出端与所述的模数转换器的输入端连接,模数转换器的输出端与所述的数码管显示器连接。
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