[发明专利]具有T型鳍部的鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110255737.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969345A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底；依次形成位于所述基底表面的第一硅薄膜、硬掩膜层和具有第一开口的图案层；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；去除所述图案层；以所述侧墙为掩膜刻蚀硬掩膜层形成第一结构，再去除所述侧墙；以所述第一结构为掩膜刻蚀所述第一硅薄膜形成第一子鳍部；形成覆盖所述基底、第一子鳍部的侧壁的绝缘层，所述绝缘层的表面与所述第一子鳍部的表面齐平；形成位于所述第一子鳍部顶部的第二子鳍部，所述第二子鳍部的宽度大于所述第一子鳍部的宽度。上述方法形成的鳍式场效应管的沟道区的长度大，避免了短沟道效应，器件性能的稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 型鳍部 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的鳍部，所述鳍部包括位于所述基底表面的第一子鳍部，以及位于所述第一子鳍部顶部的第二子鳍部，所述第二子鳍部的宽度大于所述第一子鳍部的宽度。
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