[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201110255757.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969270A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区和非冗余金属区；在半导体衬底上形成介质层；减薄非冗余金属区上的介质层；刻蚀所述介质层以形成冗余金属槽和金属导线槽，所述冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；在所述冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；以及进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属和金属导线，所述冗余金属的高度小于所述金属导线的高度。本发明使所述冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，与现有技术相比减小了冗余金属的厚度(高度)，可有效地减少冗余金属填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区和非冗余金属区；在所述半导体衬底上形成介质层；减薄所述非冗余金属区上的介质层；刻蚀所述介质层以形成冗余金属槽和金属导线槽，所述冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；在所述冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；以及进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属和金属导线，所述冗余金属的高度小于所述金属导线的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
