[发明专利]绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法

摘要

本发明提出一种绝缘体上硅硅片的制造方法，包括如下步骤：在第一硅片中形成二氧化硅薄膜和衬底；对第一硅片采用一氧化氮退火工艺在二氧化硅薄膜和衬底的界面处形成更多的悬挂键；对第一硅片进行氢离子注入，在衬底中形成富含氢离子的埋层；在第一硅片的二氧化硅薄膜上键和第二硅片；对键合后的硅片热处理，第一硅片从富含氢离子的埋层处剥离形成绝缘体上硅硅片。由上述技术方案的实施，提供了一种可以在绝缘体上硅硅片上制备的提高数据保持的浮体效应存储器单元性能的制造方法，以增加二氧化硅薄膜与衬底之间的界面悬挂键，从而有效的俘获电子，提高PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能。

主权项

一种绝缘体上硅硅片的制造方法，包括如下步骤：采用热氧化方法，在第一硅片表面形成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜底部的第一硅片部分形成衬底；对第一硅片采用一氧化氮退火工艺，在二氧化硅薄膜和衬底的界面之间形成更多的悬挂键；采用注入方法对第一硅片进行氢离子注入，在二氧化硅薄膜下方的衬底中形成富含氢离子的埋层；在第一硅片的二氧化硅薄膜上键和第二硅片；对键合后的第一硅片和第二硅片热处理，使得第一硅片的衬底从富含氢离子的埋层处剥离，从而形成绝缘体上硅硅片，其由上至下依次包括第二硅片以及与第二硅片键合的第一硅片部分；在采用如上方法制备的绝缘体上硅硅片上制备后续工艺可以使用的绝缘体上硅硅片。