[发明专利]锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110256104.5 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969349A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周正良;周克然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/36;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，集电区包括形成于有源区两侧的浅槽底部的P型埋层、形成于浅槽底部且与P型埋层连接的P型杂质离子注入层，P型埋层与基区在横向相隔的距离大于1微米；基区由形成于有源区上部的N型杂质离子注入层构成；发射区由形成于基区的N型杂质离子注入层之上的P型锗硅外延层和形成于浅槽顶部与P型锗硅外延层相接的多晶硅层构成，所述P型锗硅外延层的上部具有一硅化物阻挡层。本发明还公开了一种所述PNP器件的制造方法。本发明提高了PNP器件的性能，发射区形成无金属硅化物的锗硅，减少金属硅化物对硅的损失，提高发射区的厚度，降低基极扩散电流，提高直流电流放大倍数。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 工艺 中的 横向 寄生 pnp 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括集电区、基区和发射区；其中，集电区，包括形成于有源区两侧的浅槽底部的P型埋层、形成于浅槽底部且与P型埋层连接的P型杂质离子注入层，所述P型埋层与基区在横向相隔的距离大于1微米，所述集电区通过在P型埋层顶部对应的浅槽中的深接触孔引出；基区，由形成于有源区上部的N型杂质离子注入层构成；发射区，由形成于基区的N型杂质离子注入层之上的P型锗硅外延层和形成于浅槽顶部与P型锗硅外延层相接的多晶硅层构成，所述发射区通过多晶硅层顶部的金属硅化物层上的接触孔引出；所述P型锗硅外延层的上部具有一阻止锗硅金属硅化的硅化物阻挡层。
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