[发明专利]存储器系统

摘要

本发明涉及存储器系统。根据一个实施例，一种存储器系统包括：非易失性半导体存储器、块管理单元和转录单元。所述半导体存储器包括在第一模式和第二模式下都可写入数据的多个块。所述块管理单元将在其中未存储有效数据的块管理作为空闲块。当通过所述块管理单元管理的空闲块的数目小于或等于预定阈值时，所述转录单元选择在其中存储有效数据的一个或多个使用块作为转录源块，并且在第二模式下将在所述转录源块中存储的有效数据转录到空闲块。

主权项

一种存储器系统，包括：非易失性半导体存储器，其包括多个第一存储区，并且能够具有：一个或多个第二存储区，其被包括在所述多个第一存储区中，并且在其中没有存储有效数据，所述有效数据是存储在与逻辑地址相关联的物理地址处的数据，所述逻辑地址是从主机指定的地址，所述物理地址指示在半导体存储器的存储区中的数据存储位置；多个第三存储区，其被包括在所述多个第一存储区中，并且是通过在其中复制和存储从主机接收的数据而获得的；以及多个第四存储区，其被包括在所述多个第一存储区中，并且是通过在其中复制和存储在所述第三存储区中存储的或在所述第四存储区中存储的数据而获得的；第一存储单元，被配置为在其中存储第一管理信息，所述第一管理信息指示所述多个第一存储区的哪个区域是所述第二存储区；第二存储单元，被配置为在其中存储第二管理信息，所述第二管理信息指示所述多个第一存储区的哪些区域是所述第三存储区；第三存储单元，被配置为在其中存储第三管理信息，所述第三管理信息指示所述多个第一存储区的哪些区域是所述第四存储区；第一接收单元，被配置为接收写入请求数据，所述写入请求数据是通过所述主机请求被写入的数据；获取单元，被配置为基于所述第一管理信息而从所述一个或多个第二存储区获取一个第二存储区；第一写入单元，被配置为在第一模式下将所述写入请求数据写入到通过所述获取单元获取的所述第二存储区；选择单元，被配置为，当所述第二存储区的数目小于或等于第一阈值时，基于所述第二管理信息而从所述多个第三存储区选择一个或多个存储区，或者基于所述第三管理信息而从所述多个第四存储区选择一个或多个存储区；第二写入单元，被配置为在第二模式下将在通过所述选择单元选择的存储区中存储的有效数据写入到通过所述获取单元获取的所述第二存储区；管理信息更新单元，被配置为，当所述第二写入单元写入所述有效数据时，从所述第二管理信息或所述第三管理信息删除所选择的存储区，并将所选择的存储区添加到所述第一管理信息；第二接收单元，被配置为从所述主机接收数据的读请求；以及读取单元，被配置为，当所述读请求所请求读取的数据已被写入所述第三存储区时，所述读取单元在所述第一模式下读取数据，而当所述读请求所请求读取的数据已被写入所述第四存储区时，所述读取单元在所述第二模式下读取数据；其中与所述第二模式相比，在所述第一模式下的写入速度较快；且与所述第二模式相比，在所述第一模式下在同一存储区中可写入的信息的最大量较小。