[发明专利]一种金属栅的制作方法有效
| 申请号： | 201110256164.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969231A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属栅的制作方法，在通过氩溅射工艺去除金属栅上的氧化层的同时，有效地保护有源区的镍-硅金属。首先提供半导体基底，在所述半导体基底上形成源极、漏极、金属栅极以及自对准硅化物层。接着进行如下步骤：沉积氧化铝薄膜；形成触孔蚀刻停止层；形成层间介电层；形成光阻层；进行接触孔的图形定义；去除所述光阻层和一部分触孔蚀刻停止层；进行氩溅射工艺，打开所述金属栅极自氧化形成的氧化铝层。最后进行接触孔金属沉积和化学机械研磨的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成源极、漏极、金属栅极以及形成于源极、漏极、金属栅极表面的自对准硅化物层；在所述半导体基底上沉积氧化铝薄膜；形成触孔蚀刻停止层；形成层间介电层；形成光阻层；进行接触孔的图形定义；去除所述光阻层和一部分触孔蚀刻停止层；进行氩溅射工艺，去除所述金属栅极顶部的氧化铝薄膜和自氧化形成的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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