[发明专利]一种高输出能量的复合同位素电池及其制备方法有效
申请号: | 201110256193.3 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102306511A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 姜澜;李大让;尹建华;林奈;王聪 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G21H1/06 | 分类号: | G21H1/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种高输出能量的复合同位素电池及其制备方法,属于微机电系统中的能源领域。本发明的结构包括:液体半导体、放射性同位素金属、PN结。制备步骤为:先制作液体半导体;在液体半导体四周覆盖放射性同位素金属作为其外壳,形成基于肖特基势垒的液体半导同位素微电池;在液体半导同位素微电池外壳上覆盖PN结,形成基于β福特效应的同位素微电池;将液体半导同位素微电池和同位素微电池串联或并联后封装,形成一种高输出能量的复合同位素电池。该方法能够充分利用放射性同位素的辐射能,从而使复合同位素微电池的能量密度高,输出能量成倍提高。并且该方法制作工艺简单,成本较低,输出稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 输出 能量 复合 同位素 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高输出能量的复合同位素电池,其特征在于:包括液体半导体、放射性同位素金属、PN结;其连接结构为:放射性同位素金属将液体半导体包覆其中,放射性同位素金属与液体半导体形成肖特基,从而形成基于肖特基势垒的同位素微电池;将PN结覆盖在外部,与放射性同位素金属形成基于β伏特效应的PN结同位素微电池;两者结合起来,制成高输出能量的复合同位素电池。
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