[发明专利]激光退火片台装置有效
申请号: | 201110256442.9 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102306620A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 张建富;冯平法;吴志军;郁鼎文;荣子光;张云亮;郑书友 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/268 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种激光退火片台装置,包括:底座、炉壳、加热组件、隔热组件、托盘和卸片组件。炉壳内限定有炉腔,炉腔的上表面敞开,炉壳支撑在底座上;加热组件设在炉腔内;隔热组件设在加热组件与炉壳的内壁之间;托盘设在炉壳的顶面上且设有沿托盘轴向贯通的通孔;卸片组件设在底座上且位于炉壳与底座之间,卸片组件包括多个顶针和驱动组件,驱动组件用于驱动多个顶针沿上下方向移动以便每个顶针能够向上穿过对应的通孔向上伸出托盘的上表面。根据本发明的激光退火片台装置结构简单,对硅晶片加热均匀。在安放、卸载硅晶片时卸片组件起到辅助作用,使安放、卸载硅晶片更加方便。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 | ||
【主权项】:
一种激光退火片台装置,其特征在于,包括:底座;炉壳,所述炉壳内限定有炉腔,所述炉腔的上表面敞开,所述炉壳支撑在所述底座上;加热组件,所述加热组件设在所述炉腔内;隔热组件,所述隔热组件设在所述加热组件与所述炉壳的内壁之间;托盘,所述托盘设在所述炉壳的顶面上且设有沿托盘轴向贯通的通孔;和卸片组件,所述卸片组件设在所述底座上且位于所述炉壳与所述底座之间,所述卸片组件包括多个顶针和驱动组件,所述驱动组件用于驱动所述多个顶针沿上下方向移动以便每个所述顶针能够向上穿过对应的所述通孔向上伸出所述托盘的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110256442.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电感值可调的片上集成电感
- 下一篇:便于调节输出的变压器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造