[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110256501.2 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102623064A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 崔珉硕 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种半导体装置,包括传输控制信号发生单元、熔丝信号传输单元、接收控制信号发生单元和熔丝信号接收单元。传输控制信号发生单元接收时钟信号并基于时钟信号产生多个分频时钟信号,以从所述多个分频时钟信号输出传输控制信号。熔丝信号传输单元与传输控制信号同步地传送熔丝信息。所述接收控制信号发生单元接收时钟信号并产生多个分频时钟信号,并且基于所述多个分频时钟信号来产生接收控制信号。熔丝信号接收单元与接收控制信号同步地接收熔丝信息。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:传输控制信号发生单元,所述传输控制信号发生单元被配置为接收时钟信号,并基于所述时钟信号产生多个分频时钟信号,以从所述多个分频时钟信号输出传输控制信号;熔丝信号传输单元,所述熔丝信号传输单元被配置为与所述传输控制信号同步地传送熔丝信息;接收控制信号发生单元,所述接收控制信号发生单元被配置为接收所述时钟信号并产生所述多个分频时钟信号,并且基于所述多个分频时钟信号来产生接收控制信号;以及熔丝信号接收单元,所述熔丝信号接收单元被配置为与所述接收控制信号同步地接收所述熔丝信息。
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