[发明专利]负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201110256506.5 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969571A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;寇超锋;叶金财 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种负磁导率超材料，包括非金属材料的基板和附着在基板上的多个人造微结构，所述人造微结构由导电材料的丝线组成，所述人造微结构包括第一双开口环、第二双开口环、第一线段和第二线段；所述第一双开口环包括两个相向设置且不相接触的第一半环，所述第一线段位于所述第一双开口环内且连接两第一半环，所述第二双开口环位于所述第一双开口环内且包括两个相向设置且不相接触的第二半环，所述第二线段位于所述第二双开口环内且连接两第二半环，所述第一、第二线段相交。采用本发明的人造微结构，能够明显提高超材料的负磁导率的绝对值，从而强化负磁导率效果，以满足特定条件下对负磁导率值的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
一种负磁导率超材料，包括非金属材料的基板和附着在基板上的多个人造微结构，所述人造微结构由导电材料的丝线组成，其特征在于，所述人造微结构包括第一双开口环、第二双开口环、第一线段和第二线段；所述第一双开口环包括两个相向设置且不相接触的第一半环，所述第一线段位于所述第一双开口环内且连接两第一半环，所述第二双开口环位于所述第一双开口环内且包括两个相向设置且不相接触的第二半环，所述第二线段位于所述第二双开口环内且连接两第二半环，所述第一、第二线段相交。
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