[发明专利]高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法有效
| 申请号： | 201110256622.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102446955A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极。本发明提供的高电压金属氧化半导体装置具有芯片面积效率最佳化的优点，可以用于特高压侧操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 金属 氧化 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电压金属氧化半导体装置，包括：一源极；一漏极；一栅极，设置接近于该源极；一漂移区域，设置于该漏极与该栅极和该源极的一区域之间；以及一自我保护区域，设置接近于该漏极。
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