[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110257398.3 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102403457A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 国清敏幸;服部真之介;中本光则 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置，在该存储元件和该存储装置中，通过对形成在电阻变化层内部的定域格点进行去活化来使擦除状态保持稳定。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层，所述电阻变化层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂，并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧，所述离子源层设置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。本发明的存储元件和存储装置能够使所述电阻变化层的在擦除状态下的电阻值稳定化，从而降低了制造的不合格元件的数量，并因此实现了容量的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，所述电阻变化层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂，并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层设置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。
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