[发明专利]MOS晶体管制造方法无效
| 申请号： | 201110257452.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102270576A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;巨晓华;黄庆丰;包德君 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明提供了一种MOS晶体管制造方法，所述MOS晶体管结构中包含硅化物，根据本发明的MOS晶体管制造方法包括：栅极多晶硅形成步骤，用于在硅片上的栅极介质层上形成栅极多晶硅结构；N阱和P阱形成步骤，用于在硅片S中形成N阱和P阱；隔离层形成步骤，用于形成栅极之间隔离层；掺杂步骤，用于执行N掺杂以及P掺杂；以及硅化物阻止层刻蚀步骤，其中通过刻蚀工艺来减薄栅极介质层在源漏区上方的厚度。根据本发明的MOS晶体管制造方法不用掩膜进行减薄处理，而是直接在硅化物阻止层刻蚀步骤的时候，改用干法刻蚀与湿法刻蚀的组合工艺来减薄栅极氧化物层在源漏区的厚度，从而节省一个掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管制造方法，所述MOS晶体管结构中包含硅化物，其特征在于所述MOS晶体管制造方法包括：栅极多晶硅形成步骤，用于在硅片上的栅极介质层上形成栅极多晶硅结构；N阱和P阱形成步骤，用于在硅片S中形成N阱和P阱；隔离层形成步骤，用于形成栅极之间隔离层；掺杂步骤，用于执行N掺杂以及P掺杂；以及硅化物阻止层刻蚀步骤，其中通过刻蚀工艺来减薄栅极介质层在源漏区上方的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
