[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201110257563.5 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102403026A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间，其中，在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，绝缘层由氧化膜构成，并且存储层由Co-Fe-B构成，在与绝缘层的界面附近处，B浓度较低，并且B浓度随其远离绝缘层而增大。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息变化；磁化固定层，具有垂直于所述膜面并且成为在所述存储层中所存储的所述信息的基准的磁化；以及绝缘层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并且由非磁性层构成，其中，在具有所述存储层、所述绝缘层及所述磁化固定层的层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的所述磁化方向变化，并且对所述存储层执行信息记录，所述存储层所接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，所述绝缘层由氧化膜构成，并且所述存储层由Co‑Fe‑B构成，B浓度在与所述绝缘层的界面附近较低，并且所述B浓度随其远离所述绝缘层而增大。
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