[发明专利]带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201110257575.8 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102339868A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 柴常春;宋坤;杨银堂;贾护军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/338;H01L21/265 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种应用于微波射频电路的带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的反型隔离层、源极帽层、漏极帽层以及源、漏、栅电极。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长同质P型的缓冲层和同质N型的沟道层。在沟道层上生长同质P型的反型隔离层。对反型隔离层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层。刻蚀掉反型隔离层对应于栅电极位置的部分，形成一个凹槽，使沟道层露出于表面。在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在凹槽内的沟道层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波射频电路的功率密度和增益。 | ||
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【主权项】：
带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层、反型隔离层、源极帽层、漏极帽层、源电极、漏电极和栅电极，其特征在于，所述半绝缘衬底之上依次形成缓冲层、沟道层；沟道层之上依次形成反型隔离层、源极帽层、漏极帽层；反型隔离层中形成一个与栅电极长度相等的凹槽，凹槽深至沟道层的上表面；源电极、漏电极分别形成于源极帽层、漏极帽层之上；栅电极形成于凹槽内的沟道层之上。
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