[发明专利]带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201110257607.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102290434A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋坤;柴常春;杨银堂;张现军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于该平台之上。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长P型缓冲层、N型沟道层、N型栅下缓冲层；对栅下缓冲层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层；刻蚀掉栅下缓冲层位于栅源之间和栅漏之间的部分；在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在栅下缓冲层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波功放电路与系统的功率密度和频率响应，制作工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 带栅下 缓冲 结构 金属 半导体 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层、源极帽层、漏极帽层、栅下缓冲层、源电极、漏电极和栅电极，其特征在于，所述半绝缘衬底之上形成缓冲层；缓冲层之上形成沟道层；沟道层之上形成源极帽层、漏极帽层和栅下缓冲层，栅下缓冲层位于源极帽层和漏极帽层之间，在沟道层之上形成一个凸起的平台；源极帽层之上形成源电极；漏极帽层之上形成漏电极；栅下缓冲层的平台之上形成栅电极，栅下缓冲层被夹置于沟道层与栅电极中间。
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