[发明专利]后栅工艺中假栅的制造方法有效
| 申请号： | 201110257658.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969232A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 中假栅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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