[发明专利]闪存有效
| 申请号： | 201110257705.8 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385925A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种闪存，该闪存包含：闪存芯片；串并转换电路，用于接收一串行数据，并将该串行数据转换为并行数据；以及数据模式判决器，连接于该串并转换电路的输出端，以通过该并行数据产生一反向控制信号，并在该反向控制信号的控制下对该并行数据进行反向处理后输出一反向并行数据至该闪存芯片，本发明通过先将串行数据转换成并行数据，再将并行数据写入至闪存芯片，这样跟以前的位反技术相比，在相同编程效率和平均编程功耗的情形下，减少了反相控制信号占所有数据总数的比例，从而减少了面积损失。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 | ||
【主权项】：
一种闪存，包含一闪存芯片，其特征在于，该闪存还包含：串并转换电路，用于接收一串行数据，并将该串行数据转换为并行数据；以及数据模式判决器，连接于该串并转换电路的输出端，以通过该并行数据产生一反向控制信号，并在该反向控制信号的控制下对该并行数据进行反向处理后输出一反向并行数据至该闪存芯片。
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