[发明专利]一次性可编程存储单元阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201110258026.2 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102361030A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 410100 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一次性可编程存储单元阵列及其制造方法。该存储单元阵列，包括：形成在支撑衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 可编程 存储 单元 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种一次性可编程存储单元阵列，包括：形成在支撑衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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