[发明专利]一种带高反射作用的P型焊盘的发光二极管芯片制造方法无效

专利信息
申请号: 201110258717.2 申请日: 2011-09-02
公开(公告)号: CN102280543A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 张建宝;吴雯;刘榕 申请(专利权)人: 华灿光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/40
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 胡里程
地址: 430223 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种带高反射作用的P型焊盘的发光二极管芯片制造方法。所述P型焊盘为具有高反射膜作用,主要由两部分组成,第一部分为高反射层,该反射层可为金属,也可以为具有全反射作用的布拉格反射薄膜层,第二部分为在高反射层之上的金属压焊层,该层要求所选金属具有一定的厚度和柔韧性,可与封装焊线时引线有着粘附力。本发明不仅解决了传统电极遮挡吸收光的问题,避免了不适当的反射或折射,还使原本被金属焊盘和压焊引线遮挡的光从其它方向提取出来。
搜索关键词: 一种 反射 作用 型焊盘 发光二极管 芯片 制造 方法
【主权项】:
一种带高反射作用的P型焊盘的发光二极管芯片制造方法,其步骤为:步骤1:采用MOCVD在蓝宝石衬底上依次外延生长出N型层,有源层和P型层,得到发光二极管外延片;步骤2:将外延片清洗后,用电子束蒸发装置在P型层表面制作透明电流扩散层,其厚度为5nm‑300nm;步骤3:采用电子束蒸发或磁控溅射装置在N型层区域表面制作N型焊盘;步骤4:在P型层上制作带高反射作用的P型焊盘。
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