[发明专利]可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法有效
申请号: | 201110259602.5 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102983051A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/24;H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明说明了一种用于均匀加工控制的等离子处理装置的多重甚高频射频频率的混频处理方法,该方法包含以下步骤:1、可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置启动,下电极接收若干路甚高频射频信号和低频射频信号;2、射频比率控制器根据在待处理工件表面的等离子浓度分布要求调整各路甚高频射频信号的射频功率比率。本发明采用多重甚高频射频频率的混频,通过调节多路甚高频射频的输出比率,调节晶圆表面等离子体的密度分布,消除由于各种条件所造成的等离子体分布不均匀,改善晶圆表面刻蚀速率的均匀性加工控制,或实现按工艺要求通过调节甚高频频率的参数获得不同的等离子分布。 | ||
搜索关键词: | 调节 等离子体 浓度 分布 等离子 处理 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置,该装置包含一个等离子反应腔,该反应腔内包含一对电极,一对该电极之间设有待处理工件,一对该电极中包含一个下电极(4),所述的下电极(4)的输入端电路连接的混频器(5);其特征在于,该装置还包含分别与所述的混频器(5)的输入端电路连接的若干个带通滤波器(6)和一个低通滤波器(7);每个所述的带通滤波器(6)的输入端还电路连接有甚高频信号发生器(8),该甚高频信号发生器(8)输出甚高频射频信号至带通滤波器(6);所述的低通滤波器(7)的输入端还电路连接有低频信号发生器(9),该低频信号发生器(9)输出低频射频信号至低通滤波器(7);该装置还包含有射频比率控制器(10),该射频比率控制器(10)分别与若干个所述的甚高频信号发生器(8)电路连接,控制若干路甚高频射频信号的输出功率比率。
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