[发明专利]极紫外光光罩及其制造方法、与基材的图案化方法有效
申请号: | 201110259735.2 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102692812A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 游信胜;严涛南 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种极紫外光光罩及其制造方法、与基材的图案化方法。本发明所述的实施例提供利用极紫外光微影机台来形成半导体先进技术节点的图案的机制。利用光罩曝写机,来形成一或多个极紫外光前光罩,以利于用极紫外光扫描曝光机来制备极紫外光光罩。接着,利用极紫外光光罩在晶片上曝出所需的图案。通过曝光极紫外光前光罩的方式来制备极紫外光光罩的极紫外光扫描曝光机的成像缩小倍率,可使得通过这样的机制所制备的晶片符合半导体先进技术节点的要求。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光光 及其 制造 方法 基材 图案 | ||
【主权项】:
一种极紫外光光罩的制造方法,以图案化多个半导体基材,其特征在于,该极紫外光光罩的制造方法包含:利用一光罩曝写机来图案化一第一极紫外光光罩基材,以形成一极紫外光前光罩;以及在一极紫外光扫描曝光机中,利用该极紫外光前光罩图案化一第二极紫外光光罩基材,以形成该极紫外光光罩,其中利用该极紫外光光罩来图案化该些半导体基材。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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