[发明专利]用原子层沉积的氧化铝作为栅介质的多晶硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110259907.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102983175A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 周玮;赵淑云;孟志国;郭海成 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华;黄庆芳 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底；衬底上的绝缘层；多晶硅有源层，由固相结晶法制成，该多晶硅有源层中具有源区和漏区；多晶硅有源层上的由ALD沉积的氧化铝层，用作栅介质层；氧化铝层上的栅电极。本发明还提供一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 氧化铝 作为 介质 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底；衬底上的绝缘层；多晶硅有源层，由固相结晶法制成，该多晶硅有源层中具有源区和漏区；多晶硅有源层上的由ALD沉积的氧化铝层，用作栅介质层；氧化铝层上的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110259907.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无心台阶磨床
- 下一篇：带弹簧的划线销安装结构
- 同类专利
- 专利分类
