[发明专利]一种均匀熔体浓度的坩埚无效
| 申请号： | 201110260165.9 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102277615A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张燕青;史爱波 | 申请（专利权）人： | 镇江大成新能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 212132 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种均匀熔体浓度的坩埚，包括拉制单晶的主埚，还包括向所述主埚提供补充剂的副埚，所述副埚与所述主埚连通。本发明的优点是结构简单，适用灵活，有效解决了单晶生长过程中由于杂质在熔体中浓度不均匀而影响单晶硅电阻率均匀性的问题，提高了熔体浓度的均匀性，从而提高了单晶硅的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 浓度 坩埚 | ||
【主权项】：
一种均匀熔体浓度的坩埚，包括拉制单晶的主埚（1），其特征在于：还包括向所述主埚（1）提供补充剂的副埚（2），所述副埚（2）与所述主埚（1）连通。
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