[发明专利]一种半导体硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 201110260176.7 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102280372A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B08B3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体硅片的清洗方法，包括如下步骤：将硅片进行预处理，使所述硅片上的光刻胶处于易脱落状态；冲洗所述硅片使所述光刻胶脱落，冲洗完毕后使去除光刻胶的所述硅片保持洁净干燥；利用超临界流体对去除光刻胶的所述硅片进行清洗。本发明提供的半导体硅片的清洗方法，利用超临界流体对去除光刻胶的硅片进行清洗，能够去除低介电常数材料中的水分以及修复升高的介电常数，使该半导体硅片的清洗方法能够应用到低介电常数的材料互连工艺中，有助于提升产品性能，同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于，包括：将硅片进行预处理，使所述硅片上的光刻胶处于易脱落状态；冲洗所述硅片使所述光刻胶脱落，冲洗完毕后使去除光刻胶的所述硅片保持洁净干燥；利用超临界流体对去除光刻胶的所述硅片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
