[发明专利]制作金属栅极的金属塞方法

摘要

本发明公开了一种制作金属栅极的金属塞的方法，在采用干法去除金属栅极的金属塞通孔中的金属栅极氧化层时，采用小溅射剂量的氩分子溅射和氢气还原氧方式相结合去除，该小剂量保证对有源区域上方的阻挡层刻蚀时不穿透阻挡层，这样，一方面采用小溅射剂量的氩分子溅射不会对有源区域上方的阻挡层刻蚀穿透，另一方面采用小溅射剂量的氩分子溅射无法完全去除金属栅极的金属塞通孔中的金属栅极氧化层部分采用氢气还原氧方式被还原，从而使金属栅极的金属塞通孔连通金属栅极，最终在该金属栅极的金属塞通孔中所填充的金属塞也能够连通金属栅极。因此，本发明可以保证在不损伤半导体的有源区域基础上使得所制作的金属栅极的金属塞连通金属栅极。

主权项

一种制作金属栅极的金属塞的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成CMOS器件结构，该CMOS器件结构包括在半导体衬底上的替代栅极、半导体衬底中的有源区，在该CMOS器件的表面还具有阻挡层，在阻挡层表面上沉积第一介质层；采用化学机械平坦化CMP方式对第一介质层抛光，到阻挡层止，去除替代栅极，采用金属层填充替代栅极区域，形成金属栅极，金属栅极表面被氧化形成氧化层；在该CMOS器件结构表面沉积第二介质层后，在第二介质层中采用光刻和刻蚀工艺制作金属栅极的金属塞通孔及有源区的金属塞通孔，在刻蚀时以阻挡层作为刻蚀停止层；采用氩分子溅射和氢气还原的结合方式去除金属通孔中的金属栅极的氧化层的同时，对有源区域上方的阻挡层的氩分子溅射不穿透阻挡层；在该CMOS器件表面沉积第二金属层，填充金属栅极的金属塞通孔及有源区的金属塞通孔，得到金属栅极的金属塞及有源区的金属塞。