[发明专利]生产多晶硅的方法有效
申请号: | 201110261159.5 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102432017A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 沃尔特·哈克尔;卡尔·赫斯;威廉·霍博尔德;赖因哈德·沃尔夫 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;刘书芝 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提供了一种生产多晶硅的方法,通过将包含含硅成分和氢气的反应气体引入反应器中以使硅沉积,其中,将第一反应器中的第一沉积工艺净化后的冷凝物供给到第二反应器,且用于第二反应器中的第二沉积工艺中。本发明的方法费用低,杂质也得到减少。 | ||
搜索关键词: | 生产 多晶 方法 | ||
【主权项】:
一种生产多晶硅的方法,通过将包含含硅成分和氢气的反应气体引入到反应器中以使硅沉积,其中,将来自第一反应器中的第一沉积工艺的净化后的冷凝物供给到第二反应器,且用于该第二反应器中的第二沉积工艺中。
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