[发明专利]肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110261247.5 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102315281A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 柳志亨 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制作方法。该肖特基二极管包括半导体层，具有第一掺杂类型；保护环区，包括第一保护环区和第二保护环区，位于半导体层内，具有第二掺杂类型，其中所述第一保护环区至少部分地围绕所述第二保护环区；金属接触，位于半导体层和保护环区上方；以及阴极接触区，位于半导体层内，具有第一掺杂类型。利用本发明所揭示的肖特基二极管，可以有效提高其击穿电压和正向载流能力，节省芯片的尺寸面积。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括：半导体层，具有第一掺杂类型；保护环区，包括第一保护环区和第二保护环区，位于半导体层内，具有第二掺杂类型，其中所述第一保护环区至少部分地围绕所述第二保护环区；金属接触，位于半导体层和保护环区上方；以及阴极接触区，位于半导体层内，具有第一掺杂类型。
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