[发明专利]金属栅极结构及其工艺在审
| 申请号： | 201110261302.0 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983156A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 郑存闵;蔡旻錞;刘志建;林仁杰;李姵莹;王韶韦;林茂森;林静龄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/78;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属栅极结构位于一基底上。金属栅极结构包含有一栅极介电层、一金属层以及一氮化铝钛金属层。栅极介电层位于基底上。金属层位于栅极介电层上。氮化铝钛金属层位于金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种金属栅极结构位于一基底上，该金属栅极结构，包含有：一栅极介电层位于该基底上；一金属层位于该栅极介电层上；以及一具有U型剖面结构的氮化铝钛金属层位于该金属层上。
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