[发明专利]具有背景电流操纵的背侧受激传感器有效
| 申请号： | 201110261318.1 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102375016A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | M·毕库曼德拉 | 申请（专利权）人： | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于感测从生物刺激、化学刺激、离子刺激、电刺激、机械刺激及磁性刺激中选择的至少一个的CMOS(互补金属氧化物半导体)像素。该CMOS像素包括：衬底，其包括背侧；源，其与该衬底耦接以产生背景电流；及检测元件，其经电耦接以测量该背景电流。该刺激(其将被提供至该背侧)影响该背景电流的可测量改变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 背景 电流 操纵 背侧受激 传感器 | ||
【主权项】：
一种用于感测从生物刺激、化学刺激、离子刺激、电刺激、机械刺激以及磁性刺激中选择的至少一个的CMOS(互补金属氧化物半导体)像素，包括：衬底，所述衬底包括背侧；源，所述源与所述衬底耦接以产生背景电流；以及检测元件，所述检测元件经电耦接以测量所述背景电流；其中将被提供至所述背侧的所述刺激影响所述背景电流的可测量改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商豪威科技股份有限公司，未经美商豪威科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110261318.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
