[发明专利]电平位移电路及半导体器件有效
| 申请号： | 201110261652.7 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102480288A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 小川和树 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电平位移电路及半导体器件，该电平位移电路包括：电平转换单元，其将具有第一电压的信号电平的输入信号转换成具有第二电压的信号电平的信号，所述第二电压高于所述第一电压。所述电平转换单元包括第一导电类型的第一和第二MOS晶体管以及第二导电类型的第三和第四MOS晶体管，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，并且其切换依所述输入信号而控制。所述第三和第四MOS晶体管包括分别经由所述第一和第二MOS晶体管被提供有所述第二电压的漏极。在检测到所述第一电压的减小时，控制单元控制所述第三和第四MOS晶体管的体偏压以减小所述第三和第四MOS晶体管的阈值电压。本发明能够防止电源电压减小时的工作失效。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 位移 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种电平位移电路，包括：电平转换单元，其将具有第一电压的信号电平的输入信号转换成具有第二电压的信号电平的信号，所述第二电压高于所述第一电压，其中所述电平转换单元包括第一导电类型的第一和第二MOS晶体管以及第二导电类型的第三和第四MOS晶体管，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，并且其切换依据所述输入信号而被控制，所述第三和第四MOS晶体管包括分别经由所述第一和第二MOS晶体管被提供有所述第二电压的漏极；以及控制单元，其耦接至所述电平转换单元，其中在检测到所述第一电压的减小时，所述控制单元控制所述第三和第四MOS晶体管的体偏压以减小所述第三和第四MOS晶体管的阈值电压。
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