[发明专利]一种带反馈电路的高压稳压电路有效
| 申请号： | 201110261734.1 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102981537A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张宁;周平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/10 | 分类号： | G05F1/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路领域，带反馈电路的高压稳压电路，包括：一外部电源VDD通过电阻R1连接PMOS管M1源极和高压NMOS管M4漏极；PMOS管M1栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3漏极，其衬底连接地；NMOS管M3栅极连接其漏极，其源极连接晶体管D1发射极，其衬底连接地；高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极，通过电阻R2连接NMOS管M5栅极，通过电阻R3连接地，其源极连接内部电源，其衬底连接地；NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1源极，其源极连接晶体管D2发射极，其衬底连接地；晶体管D1和D2其各自基极连接其各自集电极后连接地。本发明的高压稳压电路能降低稳压电路功耗，提高稳压电路驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反馈 电路 高压 稳压 | ||
【主权项】：
一种带反馈电路的高压稳压电路，其特征是，包括：一外部电源VDD连接电阻R1的一端和高压NMOS管M4的漏极，电阻R1的另一端连接PMOS管M1的源极；PMOS管M1的栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2的漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2的栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3的漏极，其衬底连接地；NMOS管M3的栅极连接其漏极，其源极连接双极结型晶体管D1的发射极，其衬底连接地；高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1的源极和电阻R2的一端，其源极连接内部电源，其衬底连接地；电阻R2的另一端连接NMOS管M5的栅极和电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接地；NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1的源极，其源极连接双极结型晶体管D2的发射极，其衬底连接地；双极结型晶体管D1和双极结型晶体管D2其各自的基极连接其各自的集电极后连接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110261734.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：永磁同步排水泵用定子总成
- 下一篇：一种光波导芯片与PD阵列的耦合封装结构
